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本文从暂态稳定和动态稳定方面,研究特高压高补偿度串补对系统输电能力的影响.对典型系统及实际系统的仿真分析表明,提高补偿度对......
Chin等人以载流子浓度和补偿度为参量，运用变分原理从理论上计算得到了室温电子迁移率的变化图线，他们的研究成果，被大量文献引用来评......
本文以提高超高压线路输电能力为目的，对变耦电抗式可控串补装置在超高压传输线路中的基本应用进行了详细的研究。分析了装置的基本......
用RBS/沟道技术对MOCVD生长的未故意掺杂的GaN的结构性能进行了测试,同时用霍耳方法测试了样品的电学性能.结果表明:GaN薄膜的背散......
对本实验室用MOCVD方法生长的未故意掺杂的GaN单晶膜进行了结晶性能、电学性能研究.结果表明, 室温时GaN的X射线双晶衍射半高宽与......
对实验室用MOCVD方法生长的未掺杂GaN单晶膜的发光性能进行了研究.结果表明: 在室温时未掺杂GaN单晶出现的能量为2.9eV左右蓝带发......
利用MATLAB中的SIMULINK仿真工具对逆变器为电容换相换流器(CCC)的高压直流(HVDC)输电系统的稳态特性和暂态特性进行了仿真计算,并......
为了探究电容换相换流器中串联电容的取值问题,建立了电容换相换流器(capacitor commutated converter,CCC)的稳态模型,并利用Matl......
