超结相关论文
功率MOSFET和以其为核心的功率集成电路是电力电子系统实现电能转化、电压变换的关键,广泛用于消费、工业、汽车及航空航天、军事......
功率半导体领域高速发展和迭代,对其核心的功率半导体器件提出了更高性能、更高稳定性的要求。作为功率半导体器件的一员,碳化硅功......
提出了一种新型无电压折回现象的超结逆导型绝缘栅双极型晶体管（RC-IGBT），并基于Sentaurus TCAD进行了电学特性仿真。提出的超结RC-IG......
半导体器件仿真与设计是一门涉及半导体器件原理、微电子工艺、版图设计和专用仿真软件使用的课程。论文借鉴工程教育认证毕业要求......
期刊
由于宽禁带材料GaN具有高临界击穿电场和良好抗辐照性,受到功率半导体领域内研究者们的广泛关注。Ⅲ-Ⅴ族化合物所具有的强极化效......
高压集成电路被广泛的应用于AC/DC转化、高压栅驱动、LED照明驱动等领域,应用前景广泛。作为高压集成电路的核心开关器件,LDMOS（Lat......
学位
氮化镓（GaN）因具有宽禁带、高临界击穿电场以及高电子饱和速度等特点被学术界以及产业界广泛地研究,基于GaN材料新型功率HEMT器件也......
绝缘栅双极型晶体管（Insulated Gate Bipolar Transistor,IGBT）具有低导通压降、高载流子密度、高输入阻抗和宽安全工作区等优点,常......
SiC材料具有宽带隙、高临界击穿电场、高热导率、高电子饱和漂移速度等优点,是制作功率半导体器件的理想材料。碳化硅绝缘栅双极型......
近年来,GaN基垂直型功率器件以其芯片面积小、击穿电压高、电流崩塌抑制能力强等优势而成为国内外研究的热点和焦点。然而,当前的G......
功率半导体器件作为电力电子系统中的核心元器件,从20世界70年代发明以来,一直在现代生活中扮演着重要的角色。传统的消费类电子产......
学位
击穿电压和比导通电阻是SOI(Silicon On Insulator,绝缘体上硅)LDMOS(Lateral Double-Diffused Metal Oxide Semiconductor Field ......
功率半导体器件在电能转换中起着至关重要的作用,特别是IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),它被应用在许多领域,是不可或缺......
首次对半超结RC-TIGBT与传统RC-TIGBT的正向导通机理进行了比较研究.通过Silvaco TCAD软件仿真,模拟研究了Ydrift值、P-集电区宽度......
