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随着电力电子技术的发展,人们要求不断提高电能的转换效率。绝缘栅双极型晶体管(Insulated Gate Bipolar Transistor,IGBT)作为半导......
SiC材料具有宽带隙、高临界击穿电场、高热导率、高电子饱和漂移速度等优点,是制作功率半导体器件的理想材料。碳化硅绝缘栅双极型......
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