硅二极管相关论文
由硅材料电阻率的选择、结面积设计的不同，试制几种温敏二极管，在恒定电流下，测量室温至１２０℃温度范围内正向电压Ｖｆ与温度Ｔ的关系，测试结果表......
采用碳化硅外延和器件工艺制造了碳化硅结势垒肖特基(JBS)二极管,耐压达到1200V,封装的器件电流室温达到5A(正向压降2.1V)。通过在......
碳化硅(SiC)二极管已经打入迅速扩展的太阳能逆变器市场中,在欧洲尤为如此。科锐公司(Cree)的1200V SiC碳化硅肖特基二极管正在替......
SiC是提高功率模块中功率密度的一种理想材料,SiC功率器件具有非常低的开关损耗,热传导率很低。本文介绍了SiC混合模块(传统IGBT和......
具有低损耗、高耐热性、高耐湿性和耐压寿命长、难燃、小型、轻量化的电视机配套用玻璃钝化封装硅二极管(以下简称玻封二极管),是......
整流器很容易影响低压电源的性能。例如,硅二极管,其导通压降是0.7V。若采用图1所示的MOSFET整流电路可以避免由于二极管整流器所......
随着对各种辐照射线及其辐射效应不断深入的研究，辐照技术已被应用于半导体材料、器件改性等多种领域。电子辐照技术作为现今主要寿......
高清电视及显示器的发展加速提高了信号传输速率,除此之外,USB 2.0以及USB 3.0等高速串行协议的应用也使信号速率在不断提高.随着......
碳化硅(SiC)二极管已经进入迅速扩张的太阳能逆变器市场,尤其是在欧洲.Cree的1200V SiC肖特基极管已开始用来取代DC链升压电路所使......
●许多人认为,半导体发光二极管(LED)是上世纪60年代美国科学家发现的.事实上,100多年前在马可尼实验室工作的亨利·朗德(Henry Ro......
为协助电源厂商以更低成本克服高性能系统的各种挑战,Qspeed半导体公司推出H系列组件Qspeed新款600V功率因数校正器(PFC,Power Fac......
