深能级相关论文
采用金属有机物化学气相沉积（MOCVD）方法在蓝宝石衬底上生长的In GaN/GaN多量子阱（MQW）结构中存在大量的深能级,电子空穴在多量子阱中......
用深能级瞬态谱（DLTS）研究了分子束外延生长的高纯GaAs薄膜中的深能级.带金电极的高纯GaAs薄膜经不同温度的热退火,其DLTS峰谱的位置......
热电材料作为一种半导体材料,能够实现电与热之间相互转换,最大的特点是可以利用自然界存在的温差来为人类提供热电发电,因此能大......
测量了用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)方法在GaAs衬底上生长的Ga0.5In0.5P外延层的近红外光致发光光谱,观察到三个与深能级有关......
六角纤锌矿结构的氧化锌是一种重要的宽带隙Ⅱ-Ⅵ族半导体材料，室温下带隙为3.37eV。氧化锌在室温条件下具有较高的激子束缚能(60me......
学位
该文介绍了采用电子束蒸发方法在Si衬底上制备出了高纯度的金属锌膜,然后通过二次退火得到了具有六角结构的高质量氧化锌多晶薄膜......
主要通过光致发光的实验手段,研究分析了在自支撑GaN衬底上生长的InGaN/GaN多量子阱( InGaN/GaN MQW)有源层中的载流子复合机制,实......
为了研究一种无荧光粉的单芯片白光发光二极管(LED)的光电性质,实际测量了它的升温电致发光光谱和升温电流-电压(I-V)特性,并测量......
期刊
发展了恒温电容瞬态数据处理方法,称新方法为恒温电容瞬态时间积谱(ICTTS).用ICTTS方法测量分析了C70固体/p-GaAs异质结的深能级,......
利用深能级瞬态谱(DLTS)、傅里叶变换红外光谱(FT-IR)对GaN以及GaN掺Er/Pr的样品进行了电学和光学特性分析.研究发现未掺杂的GaN样......
研究了非掺杂半绝缘LECGaAs的非本征室温(300 K)光电流谱,在0.40～0.70 eV范围发现了一个光响应宽带M1.M1带在0.46、0.49、0.56、0.6......
我们最近报道了大剂量Al+注入原生GaN后对其光学性质的影响.表明Al+的注入可能产生了某种深能级电子陷阱,由于电子陷阱俘获导带电......
采用5·cm的p型单晶硅,通过在高温下扩散金属锰的方法,可以得到高补偿硅。笔者选择没有光照下,室温电阻率为5.84×104·cm的样品,......
AlGaN/GaN HEMT良好的功率特性虽然被大量报导,但其电流崩塌现象仍是一个令人困扰的问题,作者通过实验证明了导致其电流崩塌的一个......
利用微波等离子体化学气相沉积(MPCVD)技术,制备了高表面光洁度(其表面的高度标准偏差约为8.6nm)的纳米金刚石薄膜,在其表面上制作......
以Ａ．Ｋｏｂａｙａｓｈｉ等的半经验紧束缚模型和Ｈｊａｌｍａｒｓｏｎ－Ｖｏｇｈ－Ｗｏｌｆｏｒｄ－Ｄｏｗ深能级理论为基础，计算了Ｈｇ１－ｘＣｄｘＴｅ中阳离子位替代式杂质（包括Ｎ，Ｏ，Ｃ）与最近邻替代式杂质形成ｓｐ３键杂质对后阳离子位杂质Ａ１对称性......
期刊
采用脉冲激光沉积(PLD)技术和微电子平面工艺,用不同表面掺杂的Si作为衬底制备了ZnO/Si异质结,并且以p-Si(p-)为衬底制备了ZnO(含M......
应用红外光电导谱研究半绝缘p型Zn0.04Cd0.96Te中的深能级，在温度从4.2到165K范围内，观察到了位于0.24，0.34，0.38，0.47，0.55和0.80eV处6......
期刊
