束缚激子相关论文
ZnO薄膜中的高的背景电子浓度能够对p型掺杂形成补偿,从而对p型掺杂造成障碍,了解高背景电子浓度的来源有助于对p型掺杂的研究。本......
研究了在CdSe/ZnSe自组装量子点中CdSe量子点的发光随着激发光强度变化的特性。发现当激发强度(I)变化3个数量级的时候,量子点发光......
钙钛矿单晶因为低缺陷,无晶界,可调节的能带宽度,长载流子迁移率与载流子扩散长度等突出的特性在近几年得到了广泛的关注与研究。......
在有效质量近似下 ,采用两参数波函数变分地计算了杂质在阱心和阱边两种情况下 ,量子阱中中性施主束缚激子 ( D0 ,X)体系的束缚能......
本研究在有效质量近似下，选用了三个变分参数的波函数，利用变分法数值计算了无限深方形量子阱线中中性施主束缚激子体系(D0，X)的......
主要通过光致发光的实验手段,研究分析了在自支撑GaN衬底上生长的InGaN/GaN多量子阱( InGaN/GaN MQW)有源层中的载流子复合机制,实......
提出了计算体系基态能的变尺度法,用该算法计算了电子和空穴有效质量比值不同时,离子化施主束缚激子(D+,X)的基态能.在求解体系基......
