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随着如今电子元器件更趋向于大规模集成化和微型化,传统半导体材料逐渐暴露出短板,因此,科研人员在自然界寻找一些能够取代传统材......
随着科学技术的快速发展,无论是军事还是民用领域,对光电技术的需求日益增多,光电科学吸引着越来越多研究者的注意。氧化镓具有超......
氧化镓具有较宽的禁带宽度,结构相对稳定,是具备优良光电特性的透明氧化物半导体材料。在日盲探测器、功率整流器、场效应晶体管、......
氧化镓作为宽直接带隙(禁带宽度~5 eV)的半导体材料,由于其优秀的物理化学稳定性和优异的光电学特性,使其在高性能器件等应用领域......
作为新型的第三代宽禁带半导体材料,氧化镓由于自身的优异性能,在紫外探测、高频功率器件等领域吸引了越来越多的关注和研究。本文......
GaN是一种非常优异的Ⅲ-Ⅴ族宽带隙半导体材料,具有高发光效率、高热导率、耐高温、抗辐射、耐酸碱、高强度和高硬度等特性。室温......
采用射频磁控溅射和N2气氛退火处理制备了多晶Ga2O3薄膜和Cu掺杂Ga2O3薄膜.用X射线衍射仪、紫外可见分光光度计、荧光光谱仪对Ga2O......
