【摘 要】
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作为新型的第三代宽禁带半导体材料,氧化镓由于自身的优异性能,在紫外探测、高频功率器件等领域吸引了越来越多的关注和研究。本文利用射频磁控溅射和管式炉热退火的方法分别在石英衬底、硅衬底和蓝宝石衬底上制备β-Ga_2O_3薄膜。利用X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、紫外-可见分光光度计(UV-Vis)等分析测试手段,研究了射频磁控溅射和热退火工艺参数对薄膜结晶性、微观形貌和光学性质的影响
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作为新型的第三代宽禁带半导体材料,氧化镓由于自身的优异性能,在紫外探测、高频功率器件等领域吸引了越来越多的关注和研究。本文利用射频磁控溅射和管式炉热退火的方法分别在石英衬底、硅衬底和蓝宝石衬底上制备β-Ga_2O_3薄膜。利用X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、紫外-可见分光光度计(UV-Vis)等分析测试手段,研究了射频磁控溅射和热退火工艺参数对薄膜结晶性、微观形貌和光学性质的影响。通过标准光刻工艺和剥离技术制备β-Ga_2O_3薄膜MSM型紫外日盲探测器,从而研究薄膜的光电性能。本
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