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无位错相关论文

大直径石墨热场单晶生长工艺的研究

针对大直径石墨热场进行8英寸单晶硅棒生长工艺进行了研究和探讨,分析了单晶炉内热对流、温度、工艺参数对于单晶生长的影响,对一......

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大直径石墨热场工艺参数单晶硅棒生长工艺单晶生长无位错

太阳能用晶体硅中铁杂质及其磷吸杂研究

本文采用不同热处理温度(700～1 000℃)引入不同浓度的铁杂质，观察了引铁温度对p型单晶硅(无位错和有位错)有效寿命的影响，并比较了磷......

会议

太阳能晶体硅铁杂质单晶硅有效寿命多晶硅吸杂工艺热处理温度不同浓度无位错沾污样品晶界变温保温

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