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本文采用不同热处理温度(700～1 000℃)引入不同浓度的铁杂质，观察了引铁温度对p型单晶硅(无位错和有位错)有效寿命的影响，并比较了磷吸杂工艺对铁沾污的单晶硅和多晶硅的吸杂效果。随着引铁温度的升高，晶体硅有效寿命快速下降，其中有位错单晶硅有效寿命最低。对不同引铁温度的样品在500℃保温90 min，寿命都有所升高。经900℃/0.5 h+700℃/1.5 h变温吸杂，单晶硅和多晶硅的寿命都有所升高。由于多晶硅中存在各种缺陷，如位错、晶界等，单晶硅的吸杂效果要好于多晶硅。