后退火相关论文
近年来,宽禁带半导体材料的相关研究如火如荼。其中,氮化铝(AlN)是典型的超宽禁带半导体材料,其禁带宽度高达6.2 eV。作为直接带隙半......
顺应生产发展对节能环保的要求,大规模发展清洁能源已是大势所趋。太阳能发电作为清洁能源的一种,近年来发展迅速,而硅太阳电池因......
高温超导材料在强电和弱电领域中的应用都非常广泛,超导薄膜可在以薄膜基础的微电子学器件上首先突破应用。高温超导材料YBa2Cu4O8......
学位
本文通过采用射频磁控溅射法制备Mg掺杂Ga_2O_3薄膜,并研究双靶交替溅射和混合靶材直接溅射两种掺杂方式对薄膜性质的影响;之后选......
近几十年以来,Si、Ge作为代表性的四族半导体材料,因其特殊的性质以及在信息、能源、环境等材料领域的应用潜力,为新型固态电子、......
利用一种共蒸发及后退火的方法制备出包埋在氧化镁薄膜基质中的氧化锌量子点.经过退火之后进行的X射线衍射(XBD)实验表明了氧化锌......
近年来,随着电子信息技术、通讯技术、超大规模集成电路等方面的发展,芯片的尺寸越来越小,要求的工作电压也越来越低,这就对保护电......

