共蒸发相关论文
近年来钙钛矿材料由于禁带宽度可调控、有较长的载流子扩散长度和较低的激子束缚能等优良特性而受到光伏研究者们的广泛关注,并且......
利用一种共蒸发及后退火的方法制备出包埋在氧化镁薄膜基质中的氧化锌量子点.经过退火之后进行的X射线衍射(XBD)实验表明了氧化锌......
氧化锌(ZnO)是一种重要的宽禁带半导体材料,室温下的带隙宽度为3.37eV,激子束缚能高达60 meV.自1997年首次在ZnO多晶薄膜上实现了......
采用真空共蒸发法在室温下沉积Sb-Te薄膜,在N2气氛中进行573K退火处理,制备出符合化学配比的Sb2Te3薄膜.将Sb2Te3薄膜用作CdTe太阳......
文章基于CZTSe光伏材料的相图,从理论上研究了(1)基于富Zn相的生长路线;(2)基于Cu2SnSe3-ZnSe的两者反应生长路线;(3)基于富Cu相的......
