二氧化铪相关论文
通过X射线光电子能谱对沉积在Si基底上的High-K薄膜的热稳定性进行了研究。我们主要研究了铪为主要成分的高介电常数物质。我们分......
复合材料由至少为50%(体积)的 Si_3N_4(a)和10～50%(体积)的三元氧化物(b)的混合物配制而成;(b)含有10～30%(分子)TiO_2、10～30%(分子)......
蛋白质的磷酸化是一种重要且可逆的翻译后修饰过程,它参与和调控生物体内的许多生命活动。但异常的磷酸化也会导致人类疾病的发生......
随着CMOS特征尺寸不断减小,已经接近物理极限,传统Si基CMOS器件开始出现诸如漏致势垒降低效应、漏源穿通效应、短沟道效应、迁移率......
将铁电薄膜材料与硅基半导体集成工艺相结合而发展起来的铁电存储器具有非易失性、读写速度快、低功耗以及抗辐射等其它类型的存储......
本文用量子化学的密度泛函方法对高介电常数栅介质的原子层淀积初始反应机制作了详细的研究。研究的高介电常数介质有Al2O3、HfO2......
VO2是一种典型的热致相变化合物,相变温度为68℃,随温度的升高,发生从高温金属相到低温半导体相的转变,而且它的物理性能也随之发......
二氧化铪是一种重要的宽禁带过渡金属氧化物,具有高的熔点、高的介电常数以及优良的化学稳定性等诸多特点,因此近年来引起了许多研......
分两步提取了HfO2高k栅介质等效氧化层厚度(EOT).首先,根据MIS测试结构等效电路,采用双频C-V特性测试技术对漏电流和衬底电阻的影......
采用激光分子束外延法(LMBE)在P型Si(100)衬底上沉积了(HfO2)x(Al2O3)Y(NiO)1-x-y,栅介质薄膜,研究了其热稳定性以及阻挡氧扩散的......
