HfO2相关论文
GaN基HEMT器件由于在高频大功率应用方面具有突出优势,使之成为半导体器件领域的研究热点。然而肖特基栅结构的AlGaN/GaN HEMT器件......
随着柔性电子概念的提出,人们纷纷将目光转向柔性电子器件的研发中,例如可穿戴设备,柔性太阳能电池和电子皮肤等。存储器方面,尤其......
集成电路的飞速发展促使半导体材料和工艺不断更新换代,对于MOS器件栅极介质材料也提出了更高的要求,传统的SiO2栅极氧化层已逐渐......
The impurities in two kinds of HfO2 materials and in their corresponding single layer thin films were determined through......
用电子束蒸发技术在晶体及激光陶瓷两种基底上沉积了氧化铪（HfO2）单层膜，采用掠角X射线衍射（GIXRD）技术和纳米划痕仪对薄膜的晶向结构和......
采用原子层沉积(ALD)的方法,选择四二乙基氨基铪(TDEAH)和水作为反应前驱体,在p型(100)单晶硅衬底上制备了HfO_2高介电质薄膜。系......
金刚石材料是超宽禁带半导体材料的代表之一,在高频高功率电子器件等领域有着广阔的应用前景。然而,金刚石材料掺杂难,目前的金刚......
由于航空发动机燃烧室工作温度的不断提高,推重比的不断增加,只使用高温合金作为叶片材料已经不能满足性能的要求,因此,高温防护涂......
近些年来,由于制备工艺简单、成本低、效率高等显著优点,钙钛矿太阳能电池越来越受到研究人员的广泛关注。而钙钛矿太阳能电池的光......
阻变存储器(RRAM)具有非易失性、低功耗、高密度、高速、与传统CMOS工艺兼容性好,是下一代主流非易失性存储器的有力竞争者。在阻......
电子信息行业发展日新月异,对电子器件的要求也在不断提高,特别是器件小型化和高敏度。传统的栅氧化物在器件发展过程中,不断暴露......
学位
高性能发动机要求具有高的推重比和大的推力,为了达到这一目的,重要手段是提高涡轮前燃气进口温度或加力燃烧室温度。现有的高温合......
采用射频磁控溅射法,以HfO2陶瓷作为靶材,在石英衬底上制备了HfO2薄膜。通过椭圆偏振光谱仪(SE)、X射线衍射(XRD)、场发射扫描电子......
期刊
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生......
用两种不同纯度的HfO2 材料与同一纯度的SiO2 材料组合 ,沉积λ/ 4规整膜系 (HL) 11H形成 2 6 6nm的紫外反射镜 ,发现反射率相差 0......
使用高真空电子束蒸发在p型Si(1 0 0 )衬底上制备了高kHfO2 薄膜 .俄歇电子能谱证实薄膜组分符合化学配比 ;x射线衍射测量表明刚沉......
Ultra-thin hafnium-oxide gate dielectric films deposited by atomic layer deposition technique using HfCl4 and H2O precur......
研究了阻挡层Al2O3对应变SiGe上HfO2薄膜的热稳定性和电学可靠性的影响.高分辨透射电镜(HRTEM)像表明,阻挡层使HfO2在700℃温度下......
采用激光分子束外延法(LMBE)在P型Si(100)衬底上沉积了(HfO2)x(Al2O3)Y(NiO)1-x-y,栅介质薄膜,研究了其热稳定性以及阻挡氧扩散的......
采用磁控共溅射的方法在p-Si(100)衬底上沉积了掺杂和不掺杂CeO2的HfO2薄膜。通过X射线光电子能谱(XPS)研究了薄膜中元素的化学计......
