inP相关论文
电吸收调制激光器具有响应速度快、功耗低等特点，在通信领域应用广泛。随着InP材料性能的提高，电吸收调制激光器也不断被优化。文章......
以GaAs、InP和GaN为代表的三五族化合物材料具有比硅材料更大的禁带宽度和电子迁移率等特性,满足现代电子技术对高温、高频、大功......
量子点因其具备尺寸可调、单色性好、发光波长广、荧光量子产量高等优异特性被广泛关注,广泛应用于生物医学领域及半导体材料领域......
简单介绍了ICP(inductively coupled plasma)刻蚀的基本原理,深入研究不同的工艺参数对于InP 端面刻蚀的影响,同时报道了ICP刻蚀技......
由于半导体微环激光器(SML)具有波长转换、可调谐和光学双稳态等特点,因此成为全光逻辑和全光存储领域的研究热点。在分析背散射耦......
光子集成作为未来全光网络发展的必然趋势,是实现高速光通信的重要解决方案。正如硅基集成电路的发展历程一样,找到一种类似晶体管......
2006年,美国加州大学(UCSB)和Intel公司的研究人员推出了世界上第一个电泵浦混合硅激光器。该器件利用了III-V族半导体的发光特性,......
利用光子轨道角动量(OAM)可以大幅度提高通信系统的频谱效率和容量,从而满足未来通信容量不断增长的需求。以InP基半导体外延材料......
针对少模光通信需求，仿真设计并制作了一种基于压应变量子阱结构的少模激光器。通过调整工作电流，该器件可以实现基模和一阶模工作。......
以GaAs、InP和GaN为代表的Ⅲ-Ⅴ族化合物材料具有比硅材料更大的禁带宽度和电子迁移率等特性，满足现代电子技术对高温、高频、大功......
随着半导体工艺节点的推进与器件特征尺寸的减小,传统浮栅存储器面临着器件漏电增大、电荷泄露严重和可靠性下降等问题。采用分立......
III-V族化合物带隙跨度很大，其中InN的带隙为0.7eV，而A1N的带隙却高达6.28eV，以InP和AlN为代表的Ⅲ-Ⅴ族半导体由于具有优良的光电性......
DAC是由数字信号到模拟信号的转换器,它联系着数字和模拟世界,是收发机电路中的重要组成部分。现代移动通讯技术和集成电路技术的......
日本明治大学工学部植草新一郎等运用独创的低温工艺试制成在InP衬底上集成二极管、晶体管和光波导等器件,并证实具有实用价值。I......
据《日本经济杂志》报导:日本联合光电实验室目前可生产用于光电开关的重要的原材料InP。其价格是以往价格的1/10。这种单晶是用......
光互连系统级封装技术是用光互连在封装尺度上代替铜互连,以突破目前芯片间通信低速度瓶颈.超高速光互连系统级封装的目标是开发出......
设计制作了一种适合单片光子集成回路的InP基16通道,200GHz通道间隔的阵列波导光栅(AWG)器件。采用偏振无关的深脊型波导以减小器......
为了精确地表征器件特性,提出了一种直接提取T型异质结双极型晶体管(HBT)小信号模型参数的方法.该方法仅依赖于S参数测试数据,采用......
研究了 In P/In P的直接键合技术 ,给出了详细的 In P/In P键合样品的电特性随健合工艺条件变化的数据 ,在低于 6 5 0℃的键合温度......
源于其高电荷迁移率,III-V族半导体材料有望在10nm技术节点以下的低功耗晶体管上得到采用。采用角分辨X射线光电子能谱(ARXPS),表......
期刊
Zn-doped InGaAs Base Heterojunction Bipolar Transistors Grown by Low Pressure Metal Organic Chemical
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生......
用正电子湮没寿命技术研究了注量为 1 6× 10 16 cm- 2 的 85MeV 19F离子辐照InP产生的辐照效应。实验表明辐照在InP中产生单空位......
高电子迁移率晶体管（ HEMT）噪声低、电子迁移率高、功耗低、增益高其作为高频半导体器件的一种，对其的研究早已成为热门，并且已取得很......
提出一种钝化InP表面的新方法---湿法钝化和干法钝化相结合。这种新型的钝化方式有效地降低了InP表面态密度，并使其表面暴露在空气......
介绍了一种实现低成本、高功率、高散热性能耿氏管的工艺制备流程,利用分子束外延生长技术(MBE)在高掺杂的InP衬底上生长n n+型的......
In this work axial n-i-p junction InP nanowires were grown by selective-area metal organic vapor phase epitaxy (SA-MOVPE......
用XPS测得了真空解理后InP样品（110）表面能带弯曲的动态过程，并对引起InP表面能带弯曲的可能原因进行了讨论．排除了本征表面态、真空中......
为探究吕家坨井田地质构造格局,根据钻孔勘探资料,采用分形理论和趋势面分析方法,研究了井田7......
用原子力显微镜研究了在不同的条件下采用固态磷源分子束外延技术生长的InP同质外延薄膜的表面形貌.在样品的表面观察到不稳定三维......
为探究吕家坨井田地质构造格局,根据钻孔勘探资料,采用分形理论和趋势面分析方法,研究了井田7......
为探究吕家坨井田地质构造格局,根据钻孔勘探资料,采用分形理论和趋势面分析方法,研究了井田7......
Nd:YAG连续激光辐照在表面蒸有Zn薄膜的n-InP片上,用激光诱导的方法实现Zn在InP中掺杂。形成PN结。用电化学C-V方法和扫描电子显微......
对可达到2.5～40Gb/s数据速率的SiGe与GaAs和InP材料进行了比较,还对各种材料和工艺的典型特征进行了分析.......
采用一种新的基于InP材料在 [0 11]晶向化学腐蚀形成的平滑剖面的互连工艺和两次曝光光刻技术 ,设计并制作了带有 1.5 5 μm多量......
MOCVD法实验制备了InP反欧泊密堆积结构三维光子晶体,平面波法计算分析发现对于2003年Yethiraj和Van B laaderen提出的非密堆积结......
采用金属有机化学气相沉积生长了 In P/ Ga As0 .5Sb0 .5/ In P双异质结晶体三极管 (DHBT)材料 ,研究了材料质量对器件性能的影响 ......
Monolithic integration of resonant tunneling diodes(RTDs)and high electron mobility transistors (HEMTs)is an important d......
通过合理的外延层材料结构设计和改进的器件制备工艺,制备出功率增益截止频率(fmax)为183GHz的晶格匹配InP基In0.53Ga0.47As-In0.5......
利用霍尔效应、电流-电压(I-V)、光致发光谱(PL)和光电流谱(PC)研究了不同掺铁浓度的半绝缘InP的性质.半绝缘InP的I-V特性明显地依......
半导体低维结构材料,如量子线(点)材料,由于其特殊的电子结构,在新一代光电子、微电子器件中有着重要的应用价值。本文对应变自组......
介绍了3d4/3d6离子在立方晶体场中动态Jahn-Teller矩阵的推导,分析了动态Jahn-Teller效应对Fe2+在III-V半磁半导体InP和GaP中光谱......
研究了低压ＭＯＣＶＤ下生长压力和Ｆｅ 源／Ｉｎ 源摩尔流量比对半绝缘ＩｎＰ电阻率的影响．得到了用ＬＰ－ＭＯＣＶＤ 生长掺Ｆｅ 半绝缘ＩｎＰ的优化生长条件．在优化生长条件下得到的Ｆｅ－ＩｎＰ的电......
在国产分子束外延设备的基础上 ,利用新型三温区阀控裂解源炉 ,对 In P及 In Ga As P材料的全固源分子束外延 (SSMBE)生长进行了研......
应用射频磁控共溅射方法在石英玻璃和抛光硅片上制备了InP/SiO2复合薄膜，并在几种条件下对这些薄膜进行退火.X射线光电子能谱和卢瑟......
