采用真空蒸镀法在n型Hg3In2Te6(简称MIT)表面制备了Au和In金属电极,探讨了MIT晶片的化学抛光工艺对其表面成分偏析和Au/MIT接触特......

碲铟汞Hg3In2Te6是(In2Te3)x-(Hg3Te3)1-x(x=0.5)的化合物,被称为缺陷相化合物。为了研究In/HgInTe欧姆接触特性,首先运用热电子蒸......

碲铟汞Hg3In2Te6是(In2Te3)x-(Hg3Te3)1-x(x=0.5)的化合物,被称为缺陷相化合物。为了研究γ辐照对碲铟汞肖特基红外探测器的影响,......

采用垂直布里奇曼法,生长出直径为30mm的Hg3In2Te6晶体。通过透射电子显微镜观察Hg3In2Te6晶体和第二相粒子的形貌,并利用选区电子......

碲铟汞(Hg3In2Te6,MIT)具有优异的光电性能和强的抗辐射性,是一种有前途的短波红外探测器材料,尤其是在光纤通讯领域和辐射环境下......

采用垂直布里奇曼法,成功生长出大直径Hg3In2Te6（Φ=30mm）晶体。通过傅立叶红外透射光谱测试了晶锭不同部位的红外透过率,并利用X射......

运用直流平面磁控溅射技术在Hg3In2Te6单晶表面制备Pt金属电极，形成Pt／Hg3In2Te6接触，采用I-V测试仪在120260K温度范围内对其I-V特性......