ALGAAS相关论文
量子通信作为一个新的研究领域,将信息论和量子论相结合,形成了依靠量子纠缠效应来传输信息的新通讯方式。半导体量子点在量子通信......
Pure zinc blende structure GaAs/AlGaAs axial heterostructure nanowires (NWs) are grown by metal organic chemical vapor d......
随着半导体纳米技术的发展，人们对于高度集成化光电器件的潜在需求不断增大，具备优越物理、化学性质的III-V族化合物半导体纳米线开......
用金属有机物化学气相沉积法(MOCVD)生长了GaAs/AlGaAs量子阱材料,分别制备了300μm×300μm台面,峰值波长8.5μm,外电极压焊点面......
对ＳｉＯ２薄膜在快速热退火条件下引起的空位诱导ＩｎＧａＡｓ／ＧａＡｓ应变量子阱无序和ＳｒＦ２薄膜抑制其量子阱无序的方法进行了实验研究。并将这两种技术的结合（称为......
优化设计了既能实现较小垂直方向远场发散角，又能降低腔面光功率密度的ＩｎＧａＡｓ／ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ应变层量子阱激光器，并计算了该结构激光器实现基横模工作的脊......
研究了生长温度和中断时间对AlGaInAs/AlGaAs量子阱外延质量的影响,并使用金属有机化合物汽相沉积(MOCVD)外延生长了AlGaInAs/AlGa......
Vertical InAs/GaAs nanowire (NW) heterostructures with a straight InAs segment have been successfully fabricated on Si (......
在808nm GaAs/AlGaAs激光二极管列阵的前后腔面两端约25mm长的区域进行氦离子注入,使p型GaAs获得高的电阻率,形成腔面电流非注入区......
Internal loss is a key internal parameter for high power 1060-nm In Ga As/Al Ga As semiconductor laser.In this paper,we ......
Al Ga As材料是一种典型的Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体,因其Al组分可调、与Ga As晶格失配小、载流子迁移率高,被认为是最重要的光电子和电......
利用GaAs(51(?))/Al_(0.36)Ga_(0.64)As(200(?))多量子阱结构实现了黑体辐射的探测,探测器的峰值波长为7μm,77K温度下D~*达到1.09......
Optical simulations of GaAs/AlGaAs thin-film waveguides were performed for investigating the dependence of the modal beh......
详细研究了凸形、凹形与条形台面的AlGaAs湿氮氧化规律.对三种形状的台面分别进行氧化长度的观察测试,发现凸形、条形及凹形台面的......
