超宽禁带半导体相关论文
纵观半导体在微电子领域的发展历史,带隙更宽的半导体材料逐渐备受青睐,而发展性能更为优异的半导体材料是必然选择。近年来,新型......
超宽禁带半导体材料金刚石在热导率、载流子迁移率和击穿场强等方面表现出优异的性质，在功率电子学领域具有广阔的应用前景。实现p......
近年来,宽禁带半导体材料的相关研究如火如荼。其中,氮化铝（AlN）是典型的超宽禁带半导体材料,其禁带宽度高达6.2 eV。作为直接带隙半......
作为一种新兴的超宽禁带半导体材料，氧化镓（Ga2O3）被认为是下一代高功率电力电子器件领域的战略性先进电子材料。相较于热稳定的β-Ga......
日盲紫外探测器以其较高的探测灵敏度和较低的背景噪声广泛应用于导弹制导、空间安全通信、臭氧层空洞监测和火焰检测等军事和民用......
作为一种新型超宽禁带半导体闪烁材料,β-Ga2O3具有以下显著特点:室温下可获得几纳秒的快发光成分;理论光产额可达40800 MeV-1;斯......
氧化镓作为一种超宽禁带半导体材料,具有高击穿场强、大禁带宽度的特性,在高电压、高功率密度、低功耗的功率电子器件方向有着重要......
作为一种新型超宽禁带半导体材料,氧化镓(Ga_2O_3)在材料外延、功率器件和日盲探测器件研究方面已经取得显著进展。研究表明Ga_2O_......
超宽禁带半导体β-Ga_2O_3的带隙约为4.9 eV,是理想的日盲深紫外光电探测材料.最近,研究者利用β-Ga_2O_3薄膜,成功研制了四象限结......
宽禁带、超宽禁带半导体器件已经成为国际半导体器件和材料的研究和产业化热点,概述了半导体材料的划代,综述了宽禁带、超宽禁带半......
以碳化硅(Sic)和氮化镓(GaN)为代表的新一代宽禁带半导体材料及其器件在紫外光电探测、功率和抗辐射的微电子器件领域有巨大的优势......
氧化镓（Ga2O3）超宽禁带半导体材料在高频大功率器件领域具有巨大的应用潜力和前景,近几年已成为国内外研发的热点。概述了Ga2O3半导......
Ga2O3是一种新兴的超宽禁带半导体材料,具有超宽带隙4.8 eV、超高理论击穿电场8 MV/cm以及超高的Baliga品质因数等优良特性,作为下......
