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为满足聚变材料测试对D-T聚变中子源的需要,本文首先根据国际上对用于聚变材料测试的中子源的要求给出设计目标,然后基于Gas Dynamic Trap(GDT)装置的实验进展,提出了基于GDT装置的14 MeV中子源的设计初步方案,并建立了GDT中子源的物理模型.计算分析给出了两套中子源参数初步方案,其中FDS-GDT2中子壁负载为2 MW/m2,可用于聚变材料的测试.