【摘 要】
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东京工业大学综合理化研究所的科技人员利用金属有机化学汽相生长法（MOCVD） 在570℃的低温下成功地外延生长了钽铌酸铋(SBTN)该材料被视为下一代强电介质存储(FeRAM)材料
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东京工业大学综合理化研究所的科技人员利用金属有机化学汽相生长法（MOCVD） 在570℃的低温下成功地外延生长了钽铌酸铋(SBTN)该材料被视为下一代强电介质存储(FeRAM)材料
Technologists at the Institute of Physical and Chemical Research, Tokyo Institute of Technology successfully epitaxially grown bismuth tantalum niobate (SBTN) using metalorganic chemical vapor deposition (MOCVD) at a low temperature of 570 ° C. This material is considered as the next generation of ferroelectric memory FeRAM) material
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