【摘 要】
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在400兆赫50瓦高增益内匹配器件研制的基础上,进一步做出了400兆赫100瓦的内匹配高增益晶体管。研究了400兆赫100瓦器件的试验性放大器。100瓦器件在该放大器上获得了如下射
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在400兆赫50瓦高增益内匹配器件研制的基础上,进一步做出了400兆赫100瓦的内匹配高增益晶体管。研究了400兆赫100瓦器件的试验性放大器。100瓦器件在该放大器上获得了如下射频性能:工作频率为400兆赫、电源电压为32伏时,输出功率 P_0为90至110瓦,集电极效率为60～70%,功率增益为8～9分贝。
Based on a 400-MHz 50-W high gain in-device match, a 400-MHz, 100-W, internally matched, high-gain transistor was further developed. A pilot amplifier for a 400 MHz 100-watt device was studied. The 100-watt device achieves the following radio performance on this amplifier: at 400 MHz operating frequency and at output voltage of 32 V, output power P_0 is 90 to 110 watts, collector efficiency is 60 to 70% and power gain is 8 to 9 decibel.
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