【摘 要】
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本文用光致发光法(4.2°K和1.8°K)研究高纯度LPE—GaAs和VPE—GaAs的剩余受主杂质。实验结果表明,高纯LPE—CaAs的剩余受主杂质为C、Si、Ge,而在AsCl_3—Ga—H_2系统中生长
【机 构】
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中国科学院半导体研究所,中国科学院半导体研究所,中国科学院半导体研究所,中国科学院物理研究所,中国科学院物理研究所,中国科学院物理研究所
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本文用光致发光法(4.2°K和1.8°K)研究高纯度LPE—GaAs和VPE—GaAs的剩余受主杂质。实验结果表明,高纯LPE—CaAs的剩余受主杂质为C、Si、Ge,而在AsCl_3—Ga—H_2系统中生长的高纯VPE—GaAs的剩余受主杂质为C、Zn、Si、Ge。但是在AsCl_3—Ga—N_2系统中生长的高纯VPE—GaAs只检测到受主杂质碳。本文还研究某些生长条件对杂质引入的影响。
In this paper, the remaining acceptor impurities of high purity LPE-GaAs and VPE-GaAs were studied by photoluminescence (4.2 ° K and 1.8 ° K). The experimental results show that the remaining acceptor impurities of high purity LPE-CaAs are C, Si and Ge, while the remaining acceptor impurities of high purity VPE-GaAs grown in AsCl 3 -Ga-H 2 system are C, Zn, Si and Ge . However, high-purity VPE-GaAs grown in the AsCl 3 -Ga-N 2 system only detected acceptor impurity carbon. This article also studies the impact of certain growth conditions on the introduction of impurities.
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