【摘 要】
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据日本《Semiconductor World》1991年第8期报道,日本冲电气工业公司已开发成采用GaAs p型埋层MESFET(BP-MESFET)的1/8动态型分频器.该产品采用分子束外延法生长薄膜,凹槽栅
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据日本《Semiconductor World》1991年第8期报道,日本冲电气工业公司已开发成采用GaAs p型埋层MESFET(BP-MESFET)的1/8动态型分频器.该产品采用分子束外延法生长薄膜,凹槽栅结构制作.芯片尺寸为1.3×1.5mm,最高工作频率为36GHz,耗散功率为0.18W.要实现这种工作频率,应做到以下几点:(1)FET
According to Japan’s “Semiconductor World” No. 8, 1991 reported that Japan’s Oki Electric Industry Corporation has developed using GaAs p-type buried MESFET (BP-MESFET) 1/8 dynamic frequency divider. The product uses molecular beam epitaxy Growth film, groove gate structure of the chip size of 1.3 × 1.5mm, the maximum operating frequency of 36GHz, dissipated power of 0.18W.To achieve this operating frequency, should do the following: (1) FET
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