【摘 要】
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已用真空淀积研究了小禁带宽度半导体Hg_(0.8)Cd_(0.2)Te,Pb_(0.8)Sn_(0.2)Te和Pb_(1-x)Ge_xTe薄膜。以前有关真空淀积Hg_(1-x)Cd_xTe的报告中,对于Hg易于由层中失去的这种
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已用真空淀积研究了小禁带宽度半导体Hg_(0.8)Cd_(0.2)Te,Pb_(0.8)Sn_(0.2)Te和Pb_(1-x)Ge_xTe薄膜。以前有关真空淀积Hg_(1-x)Cd_xTe的报告中,对于Hg易于由层中失去的这种估计很不一致。本文作者通过利用以下三种不同技术——(1)瞬时蒸发,(2)用装在扩散容器内的额外的汞进行瞬时蒸发,(3)从分开
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