随着超大规模集成电路的迅速发展，器件的集成度逐步提高，半导体芯片特征尺寸不断减小。高密度、高速度、多功能型集成电路要求大芯片面积和小特征尺寸，当器件特征尺度逐渐减小时，由于多层布线和逻辑互连层数不断增加，导线间电容和层间电容以及导线电阻增加，从而使得导线电阻R和电容C产生的RC延迟会有所上升，这就限制了器件的高速性能，而且增加能耗，成为制约集成电路进一步发展的瓶颈。要降低集成电路的信号传输延迟，只能通过降低导线电阻率ρ和减小线间和层间介质的相对介电常数七来实现。因此，本文的主要工作是合成新型的可作为低介电常数材料的聚合物，并对其性质进行深入研究。此外，还对发展含氟低介电常数材料的单体的合成方法学进行了探索。　　一、主链为聚间苯的苯并环丁烯树脂的合成、表征及性能研究。　　设计并合成了主链为聚间苯的苯并环丁烯树脂P2，并对性能进行研究。通过热重分析对树脂P2的热稳定性进行研究，在氮气氛中其T5d高达547℃，残碳率高达71％。通过介电分析仪测定树脂P2的介电常数，0.1～30 MHz频率下的介电常数为2.69～2.64。通过纳米压痕测定树脂力学性能，其弹性模量为39.18 GPa，硬度为1.05 GPa。　　二、含氟低介电常数材料的合成、表征及性能研究。　　该部分工作发展了一种操作简单，原料廉价的在苄基卤化物、脂肪族卤化物、氯硅烷上引入五氟苯基的方法。将苄溴作为模板底物，通过对碱、解聚剂、溶剂等各种条件的筛选，发现用n-BuLi作碱，TMEDA作解聚剂，THF作溶剂，反应温度为-78℃的条件下，可以以高达99％的产率获得目标产物。进一步以各种常见的苄基卤化物、脂肪族卤化物、氯硅烷为底物，对该反应进行研究，发现均有较高的产率。该反应底物适应范围广，产率高，成本低，可作为大量合成含氟化合物单体的有效方法，进而发展成新型的含氟聚合物低介电常数材料。　　根据上述工作基础，我们采用该方法合成了肉桂烯基五氟苯，并与双马来酰亚胺进行共聚，得到聚合物P3，并对其性能进行深入研究。实验结果表明，随着聚合物中氟含量的增加，聚合物的介电常数可以从2.93降低到2.59，有很大程度的降低。同时，随着氟含量的增加，聚合物的接触角也从47.9°增加到79.4°，表明材料的疏水性增加。但大量的肉桂烯基五氟苯会影响材料的热稳定性，因此要根据材料的综合性能要求来调节肉桂烯基五氟苯的添加量。