Ⅲ-Ⅴ族氮化物材料系,即GaN,AlN,InN及其合金,具有高硬度、高热导性和宽带隙等特点,对于制造蓝绿光和近紫外波长大功率、高温光电子器件方面很有潜质.该文建立了一种蓝光垂直腔面发射激光器（VCSELs）的模型,模型采用GaN/AlGaN多量子阱结构,是室温下连续工作,电流注入泵浦的顶部发射激光器.综合考虑材料的物理特性,本着以降低阈值电流、提高光功率、提高内量子效率的原则,优化器件参数,求得最佳量子阱数和阈值电流.在该模型的基础之上,采用适合于多量子阱（MQWs）激光器的对数关系光增益速率方程,并在受激光发射速率中引入增益饱和项,对激光器进行了动态特性的研究.首先进行时域分析,对模型的瞬态特性进行数值模拟,讨论它的电脉冲延迟特性和阻尼弛豫振荡特性;其次进行频域分析,研究该模型的调制特性,分别研究了小信号正弦波调制和大信号调制下的脉冲效应;最后根据速率方程推导出该激光器的等效电路模型,并用Simulink进行动态仿真.利用该电路模型对激光器的小信号特性和大信号特性进行预测,发现与采用速率方程直接数值模拟的结果吻合的很好.