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非晶薄膜由于内部原子无规则排列，没有晶态材料中常见的晶界、位错等缺陷，因此其具备很多晶体材料所不具备的物理和化学性质，自被发现之初便引起了人们极大的关注。磁控溅射技术是一种常用的制备非晶薄膜的方法，然而采用交替沉积法制备非晶薄膜时其具有不确定性，共沉积法制备非晶薄膜时沉积工艺会对薄膜的非晶形成范围产生影响。本文中，首先探讨了交替沉积制备AlTi非晶薄膜的可行性，然后采用一种便捷的共沉积法在同样的条件下研究了四种Al基二元合金薄膜的结构与成分之间的关系，快速获取了其非晶形成范围并进行了横向对比。作为一种应用，在烧结NdFeB磁体表面沉积了非晶薄膜，研究了其防护性能。 交替沉积AlTi薄膜，研究了交替沉积工艺参数对薄膜结构的影响，发现转盘转速的增加、离子源的施加对薄膜结构的影响不大，而偏压的施加能够抑制薄膜的多相结构，促使其趋向单相生长。偏压较大时，交替沉积的Al65Ti35薄膜为纳米晶结构，但其无法形成非晶薄膜。 采用一种便捷的共沉积法在相同条件下沉积了系列AlM(M=Ti，Cr，Mo，W)薄膜，研究了薄膜结构与薄膜成分之间的关系，并快速获取了薄膜体系的非晶形成范围。当薄膜M含量增加的时候，薄膜结构首先由固溶体过渡为非晶，然后又过渡为固溶体。AlTi薄膜的非晶区间为32～73 at.％ Ti，完全非晶区为35～62 at.％Ti;AlCr薄膜的非晶区间为20～37 at.％ Cr，完全非晶区为20～31 at.％Cr;AlMo薄膜的非晶区间为13～24 at.％ Mo，无完全非晶区;AlW薄膜的非晶区间为10～24 at.％W，无完全非晶区。AlTi薄膜和AlCr薄膜具有较好的非晶形成能力。 采用共沉积的方法在烧结NdFeB磁体表面沉积非晶Al65Ti35和非晶Al80Cr20薄膜，非晶薄膜都能明显减小烧结NdFeB磁体的自腐蚀电流密度，提供有效的防护。交替沉积的Al65Ti35薄膜也能为烧结NdFeB磁体提供一定的防护作用。