和晶态InSb材料相比，非晶a-InSb材料具有成本低，制备工艺简单等优点。但是目前国内外还缺乏非晶态半导体材料全面和详尽的研究。本文开展了a-InSb薄膜制备、表征和氢钝化方面的研究工作。　　 本论文根据非晶态薄膜的生长机理，利用磁控溅射的方法制备出a-InSb薄膜。采用X射线衍射仪、X射线能谱仪、扫描电镜等手段a-InSb薄膜的结构、组分和表面特性进行了表征，分析了工艺参数对结构、组分和形貌的影响，我们已获得了表面形貌很好a-InSb薄膜。利用分光光度计和椭圆偏振光谱仪分析了a-InSb薄膜的光学性质。并且对a-InSb薄膜的电学和光敏特性进行了分析。实验制备的a-InSb薄膜在光照下具有明显的光敏特性。　　 此外，对薄膜材料进行了氢化研究，分析了掺氢后的薄膜光学带隙上的变化，通过分析知道，氢气的掺入具有一定钝化作用。