本文采用微电子机械加工技术（MEMS）和低压化学气相沉积（LPCVD）方法在<100>晶向单晶硅SiO2层上设计、制作胎压传感器,该结构由方形硅膜和纳米多晶硅薄膜电阻构成的惠斯通电桥组成,以四个纳米多晶硅薄膜电阻作为胎压传感器压敏电阻,分别设计在方形硅膜边缘最大应力区。当轮胎压力施加到硅膜上时,硅膜发生弹性形变,纳米多晶硅薄膜电阻阻值发生改变,惠斯通电桥输出电压发生变化,可实现对轮胎压力的检测。在此基础上,本文结合轮胎压力量程测试要求,采用MEMS技术和LPCVD方法进行纳米多晶硅薄膜电阻胎压传感器芯片制作和封装,芯片尺寸为5×5mm²。通过静态特性测试,实验结果给出,当V_DD=5.0V时,胎压传感器的线性度为0.239%F.S.,重复性为0.103%F.S.,迟滞性为0.115%F.S.,准确度为0.284%F.S.,灵敏度为0.117 mV/kPa,在-20℃⁸0℃温度范围,胎压传感器灵敏度温度系数为-0.106%/℃。根据本文制作的胎压传感器静态特性测试结果,分别设计轮胎压力监测模块和无线接收模块,与胎压传感器共同组成的胎压监测系统,轮胎压力监测模块通过胎压传感器采集轮胎压力,结合胎压传感器温度漂移进行温度补偿,并以无线方法将数据信息发送给无线接收模块,接收模块收到信息后,对其进行处理和显示,并对胎压高于或者低于标准胎压情况下,及时发出胎压报警信息。在此基础上,完成胎压监测系统的设计、制作、测试和调试。实验结果表明,本文设计、制作基于纳米多晶硅薄膜胎压传感器汽车胎压监测系统,有良好的稳定性和温度特性,可以实现对胎压的检测和无线传输功能。