AlxGa1-xN是一种直接禁带的三元合金半导体材料，随着Al组分x的变化，其禁带宽度在3.4～6.2eV之间连续可调。AlGaN紫外器件具有高击穿电压、高量子效率、高电子漂移速度、以及优良的稳定性，在高温、高频、高功率电子器件以及发光器件，紫外探测器等方面具有巨大的应用前景。　　 本文围绕大光敏面日盲紫外探测器的研制，从相关参数测试方法的研究，器件结构的设计以及关键工艺研究等方面，对大面积单元串联紫外探测器这一新型结构进行了研究。　　 器件采用包裹电极结构，既保留了与p-GaN表面的接触，又利用p-GaN/p-AlGaN异质结当中的二维空穴气，从而有利于提高量子效率。　　 设计并制备了大光敏面面积的AlGaN p-i-n型背照射日盲紫外探测器，光敏面面积为4.5mm×4.5mm，响应峰值在264nm，峰值响应率达到0.14A/W，零偏暗电流为4.8×10-13A，零偏电阻为5.0×1011Ω。　　 研究了深刻蚀钝化工艺，制备了3×3串联结构AlGaN背照射日盲紫外探测器，并进行了测试。在距离300W氙灯光源10cm处测试单个器件的光生电压达到1.5V，串联器件的光生电压随串联器件个数增加而增加，3×3串联结构AlGaN背照射日盲紫外探测器总的光生电压达到14.6V。并对光生电压的充放电进行了拟合，还对不同面积器件的光生电压大小进行了测试分析。　　 设计并制备了正照射串联结构的日盲紫外探测器，与背照射的器件对比，正照射器件在短波方面的响应率随波长的减小逐渐减小。