半导体纳米材料因在光电器件、太阳能电池、微纳发电、传感器、显示等领域具有广阔的应用前景，倍受科学家们的广泛关注。研究表明，半导体纳米材料的性能与其形貌、结构、成分等因素息息相关，因此，半导体纳米材料的可控制备一直是纳米领域的研究重点。　　 在本论文中，我们采用简单的热蒸发方法，成功地制备出了一系列ZnO基半导体纳米材料，并利用扫描电镜和透射电镜等表征手段系统分析了这些材料的形貌、结构和成分，提出了相应的生长机理，初步探究了这些纳米材料的光电性能。具体工作内容包括:　　 1、成功制备出了一种图钉状ZnO纳米材料。结构分析可知，图钉状ZnO是六方纤锌矿结构，底部纳米棒沿着六方[0001]方向生长，六边形的“帽子”则优先沿<2-1-10>方向生长。这种图钉状ZnO的生长机制可以用自催化的VLS机制以及VS机制得到合理解释。　　 2、首次实现了单晶外延生长的ZnO/ZnS核壳纳米棒阵列的可控制备。结构分析表明，ZnS外壳是单晶六方纤锌矿结构，且与ZnO核有明显的外延取向关系，即(01-10)ZnO//(01-10)ZnS，[0001]ZnO//[0001]ZnS。利用醋酸除去ZnO核，我们还首次制备出了单晶ZnS纳米管阵列。通过对实验条件以及数据结果的分析，我们提出了一种在ZnO纳米棒上外延生长单晶ZnS的生长机制。此外，我们对这种核壳结构的光学性质进行了详细的讨论。　　 3、首次制备出了一种单晶外延生长的ZnO/ZnS核壳异质结纳米带。ZnS外壳对称地生长在ZnO±(0001)极性面两侧，表现出与极性无关的对等生长。ZnS外壳是单晶，与带状ZnO核的外延取向关系为:(0001)ZnO//(0001)ZnS;[2-1-10]ZnO//[2-1-10]ZnS。实验结果表明，在一定条件下，负极性面可以表现出与正极性面相同的化学活性，同样可以实现纳米材料的形核和生长。　　 4、实现了ZnO/SnO2核壳纳米材料的可控制备。分析表明，SnO2颗粒为金红石结构，直径约为20nm，并且均匀、紧密的包覆在ZnO纳米棒上。融掉ZnO核，还可得到多晶SnO2纳米管。此外，我们对材料的的光学性质、光催化性质以及稳定性进行了系统的研究。