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该文研究了非晶稀土过渡族合金/硅(a-RE-TM/Si)多层膜的磁性、垂直各向异性和层 间耦合的特性,探索具有温度诱导的铁磁反铁磁耦合转变的新的材料体系.研究人员采用磁控溅射的方法制备的不同Si层厚度的TbCo/Si、TbFe/Si以及GdFe/Si/GdFe多层膜样品.研究人员进一步研究了Si层的插入对a-RE-TM/Si多层膜的磁性和垂直各向异性的影响.随着Si层厚度的增加,a-RE-TM/Si多层膜的饱和磁化强度和垂直各向异性常数都显著下降.研究人员为这可能是由于磁性层与Si层之间的存在着互扩散和合金化引起的.利用高斯型的扩散分布模型,研究人员采用计算机数值模拟的方法很好的拟合了TbCo/Si多层膜的饱和磁化强度、 垂直各向异性数与Si层厚度的变化关系.