【摘 要】
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该文以清华大学微电子所工艺线提供的数据为依据,借助美国SILVACO公司提供的软件平台,研究了针对该所工艺的TCAD技术.该文重点讨论了参数提取策略的制定原则,以BSIM3V3模型为
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该文以清华大学微电子所工艺线提供的数据为依据,借助美国SILVACO公司提供的软件平台,研究了针对该所工艺的TCAD技术.该文重点讨论了参数提取策略的制定原则,以BSIM3V3模型为例,给出一套合理有效的参数提取策略.讨论了模型参数随沟道长度与沟道宽度的变化关系.根据此关系,结合器件组提取和单器件提取的优点,提出了一种新的综合提取策略.CMOS工艺NMOS管制造过程中,6项主要工艺对器件参数的影响较大.该文讨论了它们的具体规律和工作机理,以此为指导,设计、修改工艺模拟和器件模拟程序,模拟该所0.8μm工艺.该文建立了TCAD工作环境.根据模拟曲线和测试数据的校对结果,校准工艺模拟和器件模拟程序,最后进行参数提取.
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