硅纳米晶体及铁酸铋薄膜的光学性质研究

来源 :复旦大学 | 被引量 : 0次 | 上传用户:wnt
下载到本地 , 更方便阅读
声明 : 本文档内容版权归属内容提供方 , 如果您对本文有版权争议 , 可与客服联系进行内容授权或下架
论文部分内容阅读
椭偏光谱测量是一种非接触、非破坏性的光学分析技术,由于其尤其适合薄膜测量,因此椭偏光谱测量是研究薄膜材料光学性质的重要手段之一。为此,本文选取采用椭偏测量技术对硅纳米晶体(Si nanocryastals)和铁酸铋(BiFeO3)薄膜进行光学性质的研究作为主要内容:  1.目前对硅纳米晶体的研究主要集中于尺寸分布小、光致发光谱较窄且随尺寸可控的样品,本文采用了SiOx/SiO2(1<x<2)周期结构制备薄膜样品,通过控制SiOx层的厚度来限制硅纳米晶体的尺寸,从而得到多个具有不同尺寸、埋嵌于SiO2介质中的硅纳米晶体。在良好的尺寸控制基础上,制备了两种尺寸硅纳米晶体复合的样品,通过调节样品中硅纳米晶体尺寸以及两种尺寸晶体的配比,得到光致发光谱峰位及其峰高可调节的宽发光光谱。  硅纳米晶体的光学性质与发光机理一直是研究的热点。通过对2nm、3nm、5nm和6nm的硅纳米晶体样品进行椭偏测量及数据拟合,得到了不同尺寸硅纳米晶体的光学常数及禁带宽度,其中利用Lorentz振子模型和Forouhi-Blommer模型拟合得到的光学常数结果相一致,表面了拟合的准确性。拟合得到的禁带宽度变化规律符合量子限制效应,并与文献中理论计算结果相一致;对这四个样品进行PL谱表征,发现其PL峰值能量和禁带宽度之间有着明显的差距,通过假设分析并与文献对比,得到硅纳米晶体的发光受到量子限制效应及界面态的共同影响,并且界面态的影响随着硅纳米晶体的尺寸减小而增大。  利用实验室自制的电子束蒸发系统尝试性制备了硅纳米晶体,测量得到730nm和830 nm两个峰位的光致发光谱,利用量子限制-发光中心模型对结果进行了很好解释。  2.铁酸铋是目前研究最多的多铁性材料,对其基本光学性质的研究有助于其相关器件的制备。本文利用激光脉冲沉积方法制各了结构为SrTiO3/SrRuO3/BiFeO3的样品,并单独测量了BiFeO3薄膜、电极层SrRuO3以及基底SrTiO3在波长300-800 nm光谱范围内的椭偏参数。采用逐层拟合分析的方法,分别拟合得到了基底SrTiO3和电极层SrRuO3的光学常数,再利用四个振子的Lorentz色散模型获得BiFeO3薄膜的光学常数。与文献中理论计算对比结果相近,各振子中心能量的物理意义能够得到解释;利用Tauc理论计算得到BFO薄膜样品的带隙宽度为2.66 eV。
其他文献
论文详细综述了磁热效应的产生、磁致冷的原理和应用、磁致冷材料特别是室温磁致冷材料的研究发展现状及趋势。磁制冷与传统的气体压缩制冷技术相比,具有效率高、耗能小、无污
流体机械是对流体进行能量和质量传输的机械。叶片式流体机械作为流体机械中最常见的一类,在生产生活中得到了广泛的应用,而由它产生的气动噪声也成为严重的问题,近年来备受关注
学位
又到了读书交流的时间.教室里,同学们热烈地说着自己最近读了哪本书,有什么心得……rn一群女生讨论得热火朝天.rn“我喜欢《冬阳童年骆驼队》这篇课文.”是小才女的声音.rn“
镶嵌于二氧化硅中的硅纳米晶是一种新型光学材料。与体块硅相比,其具有光致发光,电致发光甚至受激辐射的性质;与其它Ⅲ-Ⅴ族半导体发光材料相比,其具有与现代硅工艺兼容,制备简单
当今纳米科学技术飞速发展,而石墨烯和其它低维纳米材料是其中非常重要的一个研究方向。它们展示出来的各种性质,吸引着人们不断探索和研究,包括实验和理论。而纳米技术的发展必
作为纳米科技的基础,纳米材料的可控合成一直是科技界热门的研究领域之一。在过去的十几年里,人们已在单组分纳米材料的形貌和尺寸控制领域取得了令人振奋的研究进展,并籍此
发射机阻抗匹配是EAST-ICRH系统中的关键技术之一。为解决阻抗匹配问题,需要一个阻抗匹配网络将发射机末级放大器与驱动级连接起来。本文的工作是要构建一套基于LabVIEW的阻抗
磁性物质在现代各种电子、信息器件中有广泛应用,随着越来越多新的磁现象的出现,相关材料的应用和机制的研究方兴未艾。物质的不同磁性质来源于其内部磁性原子在不同情况下的
光与金属界面处的自由电子振荡相耦合形成表面等离极化激元(SPP),使得电磁场的能量局域在亚波长范围内,同时导致电磁场极大地增强。这使得人们能够利用金属微结构,在亚波长尺寸
全固态黄光激光器在大气探测、自适应光学、生物医学、高精度光谱学等领域都有广泛而重要的应用。同时获得高功率、高光束质量的黄激光输出是全固态黄光激光器研究的热点与难