【摘 要】
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本文研究了一种RFLDMOS的热载流子注入效应,分析了热载流子注入效应对器件性能以及可靠性的影响,并提出了改进方案.利用TCAD仿真软件,对RFLDMOS工艺以及器件结构进行了仿真.
【出 处】
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2013‘全国半导体器件技术、产业发展研讨会暨第六届中国微纳电子技术交流与学术研讨会
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本文研究了一种RFLDMOS的热载流子注入效应,分析了热载流子注入效应对器件性能以及可靠性的影响,并提出了改进方案.利用TCAD仿真软件,对RFLDMOS工艺以及器件结构进行了仿真.根据仿真结果,通过调节器件的结构和离子掺杂等手段,即降低表面电场(RESURF)技术,可以有效地抑制热载流子注入效应,从而提高器件的可靠性.
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