0.18μm BCD工艺主要用在小尺寸的直流/直流和交流/直流转换等领域,是目前应用于消费电子以及汽车电子等领域主流的BCD工艺之一,具......

目前,国内外对于半导体器件电离辐射效应的研究主要集中在低压MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor）结构和绝......

近年来,急剧增加的市场需求与国家政府的大力支持使集成电路产业得到高速发展,与国外行业水平之间的差距正日趋缩短。横向双扩散金......

针对常规AlGaN/GaN RESURF高电子迁移率晶体管(HEMT)中由于沟道电场分布不均匀而导致击穿电压过低的问题,提出一种带背电极的新型A......

提出了一种具有多阶场板的300 V薄层SOI RESURF nLDMOS器件.借助RESURF和MFP技术,优化了器件表面电场分布,避免了器件在表面提前击......

提出了一个均匀、阶梯和线性掺杂漂移区SOI高压器件的统一击穿模型.基于分区求解二维Poisson方程,得到了不同漂移区杂质分布的横向......