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【摘 要】
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作为介电材料在半导体器件中应用的典型代表，栅介质研究已经历了几十年的时间，然而，作为MOS或MIS器件栅介质应用的介电材料大多为非极性介电材料，主要利用了其绝缘特性，为器件
【机 构】
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电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室,成都市建设北路二段四号,610054
【出 处】
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第十三届全国固体薄膜学术会议
【发表日期】
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2012年期
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