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【摘 要】
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本文主要研究了在InP衬底上利用MOCVD外延技术成功生长了晶格失配大于1.1％厚度约为3微米的In0.68Ga0.32As薄膜材料；通过As组分的改变，在InAsxP1-x缓冲层中形成了张应变和压
【机 构】
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中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 ,纳米器件与应用重点实验室,苏州市 215125
【出 处】
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第十三届全国固体薄膜学术会议
【发表日期】
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2012年期
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