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该文设计了一套适用于不同工艺的背栅效应测试版图，分别用离子注入隔离工艺和半绝缘衬底自隔离工艺在非掺杂的半绝缘GaAs衬底上制备GaAsMESFETs，并对二种不同工艺在制备的MESFETs器件的背栅效应进行了研究。结果表明，采用离子注入隔离工艺制备的MESFETs器件的背栅效应要比采用半绝缘衬底自隔离工艺制备MESFETs器件的背栅效应小。