论文部分内容阅读
研制了双端口SRAM单粒子效应检测系统，并对IDT公司生产的3种双端口SRAM(IDT7024L35GB、IDT7025L35GB、IDT7006L20FB)进行了单粒子效应评估试验，得到了器件的抗辐射数据，为卫星型号选用和加固设计提供了依据。
双端口SRAM单粒子效应检测
【摘 要】
：
研制了双端口SRAM单粒子效应检测系统，并对IDT公司生产的3种双端口SRAM(IDT7024L35GB、IDT7025L35GB、IDT7006L20FB)进行了单粒子效应评估试验，得到了器件的抗辐射数据，为卫星型号选用和加固设计提供了依据。
【机 构】
：
中国空间技术研究院宇航物资保障事业部,北京 100029
【出 处】
：
第十七届全国半导体集成电路、硅材料学术会议
【发表日期】
：
2011年7期
其他文献
利用双离子束沉积系统在P(100)型Si基上制备了不同Ta含量的Hf1-xTaxO薄膜.其中，Ta/[Hf+Ta]的原子百分比分别为15％、26％、33％、45％、55％。研究结果显示，Ta的掺入可有效提升HfO2的结晶温度，并优化其电学性质。尤其是当Ta含量达到45％时，Hf0.55Ta0.45O样品显示了最大的介电常数～23.8、高的结晶温度～900℃，以及较小的表面粗糙度(RMS)～0.12
利用二维器件模拟器MEDICI，模拟分析了6掺杂层的杂质分布与应变Si NMODFET电学特性的关系。结果表明，在掺杂剂量一定的情况下，对于均匀分布，漏电流随δ掺杂层厚度的减小而增大，亚阈特性基本保持不变；对于高斯分布，δ掺杂层峰值浓度越大，器件的亚阈特性越差，饱和漏电流越大；在δ掺杂层的掺杂剂量和厚度一定的情况下，均匀分布要好于高斯分布。
介绍了一种实用的线性兼容CMOS工艺中耗尽型NJFET的设计与优化，流片验证得到NJFET的夹断电压为-1.35V，击穿电压为15.5V，通过优化NJFET的结构，可以实现NJFET的耐压达到34V.使用该NJFET及其线性兼容CMOS工艺，成功研制了一款低压差线性稳压器(LDO)，基准源静态电流小于1.5μA.该工艺还可广泛应用于高压A/D和D/A转换器的研制.
基于中国科学院微电子研究所开发的0.35μmSOI工艺，制备了深亚微米PDSOI H型栅nMOSFETs。在不同温度下进行了加速应力实验，结果表明温度越高，热载流子退化越严重。以饱和电流退化10％为失效判据，采用衬底/漏极电流比率模型对器件热载流子寿命进行了估计，自加热效应的存在使得SOI热载流子寿命的预测变得复杂，为预测器件热载流子寿命提供了一种更加精确的方法.
对深亚微米的窄沟PMOSFET进行了负偏压温度不稳定性(NBTI)的试验研究。结果表明，NBT应力最终导致了跨导降低、输出特性曲线下降、关态泄漏电流和阈值电压增加。然而，在应力施加的过程中，一些参数发生了恢复。经过分析，认为正电性的界面态主导了参数的变化，也正是界面态的复合造成了参数的恢复。
采用器件数值模拟工具对PIN、PNPN以及HMG等几种新型隧道穿透场效应晶体管(TFET)器件进行了研究。结果表明优化的TFET器件具有较好的亚阈区特性和较高的Ion/Ioff之比，有望在低功耗应用中成为纳米级MOSFET强有力的竞争者之一。
对应用于高频微波功率放大器的SiGe异质结双极晶体管(HBT)的基区进行了优化，发现器件对基区Ge组分以及掺杂浓度十分敏感。采用重掺杂基区，适当提高Ge组分并形成合适的浓度分布，可以有效改进SiGe的直流特性，同时增加器件的特征频率，使得SiGe HBT技术在微波射频等高频电子领域具有更重要的应用前景。
通过分析惠斯通电桥中压敏电阻零点输出随温度变化的机理，从电桥和外部电路两个方面对电桥零点输出进行补偿，内部调整电阻电桥的阻值匹配，外部调整电桥平衡，并且采用双电桥结构差分输出补偿热零点漂移.设计了可供调节的电路系统，得到的零点失调输出范围控制在满量程输出的1.5％之内，为压阻式压力传感器的自行研究和应用打下了基础。
为了在减小P型多晶硅栅电极中硼穿通的影响，需要明确多晶硅栅电极中硼穿通与栅氧化层厚度之间的关系。提出了双栅PMOSFET模型，将P型多晶硅栅极与N型多晶硅栅极的功函数之差与阈值电压差值进行对比完成硼穿通的判定。依据这一模型优化热氧化条件，有利于改善薄栅氧化层PMOSFET中的硼穿通。