深亚微米PMOSFET的NBTI效应研究

来源 :第十七届全国半导体集成电路、硅材料学术会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户：sddmymj

【摘要】

：

对深亚微米的窄沟PMOSFET进行了负偏压温度不稳定性(NBTI)的试验研究。结果表明，NBT应力最终导致了跨导降低、输出特性曲线下降、关态泄漏电流和阈值电压增加。然而，在应力施加的过程中，一些参数发生了恢复。经过分析，认为正电性的界面态主导了参数的变化，也正是界面态的复合造成了参数的恢复。

【作者】

：

崔江维余学峰任迪远卢健

【机构】

：

中国科学院新疆理化技术研究所,乌鲁木齐 830011 新疆电子信息材料与器件重点实验室,鲁木齐 830011 中国科学院研究生院,北京 100049

【出处】

：

第十七届全国半导体集成电路、硅材料学术会议

【发表日期】

：

2011年7期

【关键词】

：

金属氧化物半导体场效应管深亚微米负偏压温度不稳定性效应阈值电压参数优化

下载到本地 , 更方便阅读

下载此文赞助VIP

声明 : 本文档内容版权归属内容提供方 , 如果您对本文有版权争议 , 可与客服联系进行内容授权或下架

论文部分内容阅读

其他文献

利用RPCVD制备高质量应变SiGe薄膜

硅锗作为新型微电子材料，近年来引起了人们广泛的关注与研究。以二氯硅烷(DCS)和锗烷(CeH4)为源，利用RPCVD在125mm硅片衬底上制备了高质量的锗硅合金薄膜。通过高分辨透射电子显微镜、高分辨X射线衍射、二次离子质谱等测试表征，研究了RPCVD系统的负载对薄膜生长的影响，并对薄膜进行了掺杂处理。结果表明，1)SiGe薄膜中Ge浓度随着HCl流量的增加而增加；2)薄膜生长速率和Ge浓度随着锗烷

会议

硅锗异质材料半导体薄膜减压化学气相沉积工艺参数

超薄插入层对顶层SiGe薄膜的影响

研究了SiGe/UT-SiGe/Si异质结材料在H离子注入下UT-SiGe插入层对顶层SiGe薄膜的影响。在减压气相外延(RPCVD)生长的SiGe/ut-SiGe/Si异质结材料的基础上，采用H离子注入，随后进行500℃、600℃、700℃热处理。实验结果表明，1)超薄SiGe层对H离子具有吸附的作用；2)随着退火温度升高，锗硅薄膜应力释放增大；3)在H离子4×1016/CM2注入剂量下，经过退

会议

硅锗异质材料半导体薄膜超薄插入层减压化学气相沉积工艺参数

退火对SiGe弛豫衬底热稳定性的影响

采用低温Ge缓冲层技术制备出SiGe虚衬底结构，研究常规退火对其热稳定性的影响。当退火温度为600℃时，我们可以获得弛豫度为98％的虚衬底结构，而SiGe合金层的组分不变。当退火温度达到800℃时，底层的低温锗(LT-Ge)与上层的SiGe合金发生互扩散。当退火温度为1000℃时，Ge层融化变为液体，底层的Si层会向LT-Ge层扩散，并在界面处形成一层100nm厚且Ge组分较大的SiGe合金层。我

会议

硅锗异质材料弛豫度退火处理化学气相沉积热稳定性

锗中注入H离子退火后起泡动力学研究

研究了锗片中注入H离子退火后表面起泡的现象，得到了对应不同退火温度下不同起泡时间的动力学曲线图以及相应的激活能。在不同的温度区间，激活能并不相同。对于锗，低温段的激活能低于高温段的激活能，这和其他材料有明显不同。我们认为在锗片起泡过程中，H缺陷复合物释放H是根据不同的结合能由低到高而逐渐发生的，计算所得到的激活能也和不同H缺陷复合物结合能相吻合。同时我们还利用TEM(透射电镜)对样品内部缺陷微观结

会议

半导体集成电路锗片氢离子注入退火温度激活能表面起泡现象动力学分析

He+离子注入制备弛豫SiGe薄层的研究

对在Si衬底上利用减压化学沉积法外延生长的180nm厚的Si0.75Ge0.25进行He+离子注入和快速热退火.X射线衍射(XRD)和拉曼(Raman)测试结果表明，SiGe层中应力得到释放。原子力显微镜(AFM)结果表明，SiGe层的表面粗糙度无明显变化.透射电子显微镜(TEM)结果显示顶层锗硅穿透位错少，界面处有失配位错，在Si中注He峰值处和界面间能观察到注He+引入的位错环和界面间的相互作

会议

弛豫硅锗材料半导体薄膜氦离子注入减压化学气相沉积工艺参数

光诱导镀改善太阳能电池填充因子的研究

对不同填充因子的太阳能电池进行光诱导镀实验，发现原本填充因子差别很大的电池在光诱导镀之后填充因子达到了几乎相同的水平。文中结合文献和实验数据对这种现象产生的原因及其可能的应用前景进行了探讨。

会议

太阳能电池光诱导镀层填充因子电学性能

HfTaO高k栅介质薄膜的离子束制备及表征

利用双离子束沉积系统在P(100)型Si基上制备了不同Ta含量的Hf1-xTaxO薄膜.其中，Ta/[Hf+Ta]的原子百分比分别为15％、26％、33％、45％、55％。研究结果显示，Ta的掺入可有效提升HfO2的结晶温度，并优化其电学性质。尤其是当Ta含量达到45％时，Hf0.55Ta0.45O样品显示了最大的介电常数～23.8、高的结晶温度～900℃，以及较小的表面粗糙度(RMS)～0.12

会议

金属-氧化物-半导体器件高k栅介质薄膜微结构电学性质

应变Si NMODFET中δ掺杂层的优化

利用二维器件模拟器MEDICI，模拟分析了6掺杂层的杂质分布与应变Si NMODFET电学特性的关系。结果表明，在掺杂剂量一定的情况下，对于均匀分布，漏电流随δ掺杂层厚度的减小而增大，亚阈特性基本保持不变；对于高斯分布，δ掺杂层峰值浓度越大，器件的亚阈特性越差，饱和漏电流越大；在δ掺杂层的掺杂剂量和厚度一定的情况下，均匀分布要好于高斯分布。

会议

场效应晶体管应变硅δ掺杂层电学特性均匀分布

线性兼容CMOS工艺中耗尽型NJFET的设计与优化

介绍了一种实用的线性兼容CMOS工艺中耗尽型NJFET的设计与优化，流片验证得到NJFET的夹断电压为-1.35V，击穿电压为15.5V，通过优化NJFET的结构，可以实现NJFET的耐压达到34V.使用该NJFET及其线性兼容CMOS工艺，成功研制了一款低压差线性稳压器(LDO)，基准源静态电流小于1.5μA.该工艺还可广泛应用于高压A/D和D/A转换器的研制.

会议

集成电路线性兼容CMOS工艺低压差线性稳压器工艺优化

深亚微米PDSOI nMOSFETs热载流子寿命研究

基于中国科学院微电子研究所开发的0.35μmSOI工艺，制备了深亚微米PDSOI H型栅nMOSFETs。在不同温度下进行了加速应力实验，结果表明温度越高，热载流子退化越严重。以饱和电流退化10％为失效判据，采用衬底/漏极电流比率模型对器件热载流子寿命进行了估计，自加热效应的存在使得SOI热载流子寿命的预测变得复杂，为预测器件热载流子寿命提供了一种更加精确的方法.

会议

场效应集成电路绝缘体上硅热载流子效应寿命预测

深亚微米PMOSFET的NBTI效应研究

其他学术论文