CCD的总剂量效应及加固方法研究

来源 :第十七届全国半导体集成电路、硅材料学术会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户：yibola2008

【摘要】

：

通过CCD的60Coγ射线与高能电子辐照试验，研究了器件的电离总剂量效应，从器件结构和工艺方面分析了器件的辐射损伤机理与加固方法。在此基础上，对采用抗辐射加固设计的某1024×1024元CCD进行了60Coγ射线辐照试验。结果表明，采取抗辐射加固措施研制的CCD抗电离辐射总剂量能力达到了较高的水平。

【作者】

：

李豫东汪朝敏郭旗刘昌举任迪远唐遵烈

【机构】

：

中国科学院新疆理化技术研究所,乌鲁木齐 830011 重庆光电技术研究所,重庆 400060

【出处】

：

第十七届全国半导体集成电路、硅材料学术会议

【发表日期】

：

2011年7期

【关键词】

：

图像传感器电离总剂量效应 60Coγ射线电子辐照抗辐射加固

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