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采用磁控溅射制备Co(200nm)/6H-SiC异质结,在500-1000℃下退火,通过X-射线衍射(XRD)、俄歇电子能谱散射(AES)、拉曼光谱散射(Raman)研究接触界面的化学反应。研究表明高温下反应易生成稳定的化合物Co2Si,反应生成的C单质经扩散会富集于界面的最表面,并呈现晶态石墨和无定形结构。