论文部分内容阅读
石墨烯，零带隙的二维半导体材料，由于其特殊的电子结构，从而使它具有高迁移率(大于15000cm2V-1)、弹道输运以及反常量子霍尔效应等新奇的电学性质，有望成为替代硅的下一代集成电路材料。石墨烯条带，由于量子限域效应以及边缘效应的作用，可以实现对带隙的调制。因此，石墨烯条带可以被应用于具有高转换速度和高迁移率的室温晶体管器件中。目前，制备石墨烯条带的方法主要包括，电子束刻蚀以及化学方法，但是这些方法，过程复杂，成品率低，不适宜未来集成工艺的发展。而SiC外延方法，由于方法简单，过程易于控制，直接生长在半导体衬底上，因而被广泛认为是实现石墨烯在集成电路中应用的唯一途径。因此，通过SiC外延方法生长出石墨烯条带，具有重要的意义。