论文部分内容阅读
铈掺杂硅酸镥是一种非常高效的发光材料，具有极高的光量子效率，被认为是一种重要的闪烁材料。1990年，C.L.Melcher和J.S.Schweitzer将稀土Ce3+发光离子引入硅酸镥基质中，并首次研究了铈在硅酸镥基质中的闪烁性能。由于Ce3+离子的特殊价电子层构型，使得Ce3+掺杂的硅酸镥具有很高的光量子效率，发射强度为Nal：TI的75％，光产额达到了27000photons/MeV，衰减时间为32ns。基于这些件能制成的γ射线探测器，在X射线断层摄影术，正电子发射断层摄影术和高能物理领域有很好的潜在应用价值。本文通过一种新颖的溶胶-凝胶方法在更低的温度下(1000℃)得到纳米级硅酸镥粉体，且制备得到了具有P21/c结构和C2/c结构的单相硅酸镥粉体，分别为A型硅酸镥和B型硅酸镥。两种结构粉体的晶粒尺寸都在100nm以下，同时具有良好的分散性。