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【摘 要】
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HfSiO(N) films were prepared on Si substrates by using dual ion beam sputtering deposition (DIBSD).Structure and electronic properties of the film with diff
【机 构】
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Department of Physics,Soochow university,Suzhou215006,China
【出 处】
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第十五届全国等离子体科学技术会议
【发表日期】
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2011年期
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