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本文通过数值求解考虑烧蚀产物在内的23 种组分的化学非平衡Navier-Stokes 方程，建立考虑泰氟隆材料烧蚀效应的化学非平衡流数值计算方法。理论预测了球锥体RAMC-II 的等离子体鞘套电子数密度，并和飞行试验进行比较，验证了算法可靠性，揭示了电子数密度峰值结果随飞行高度变化规律。算法应用于不同高度球锥体泰氟隆烧蚀流场计算，研究表明，在泰氟隆烧蚀现象比较明显的中低空，烧蚀产物对电子数密度的影响主要局限在边界层内；泰氟隆烧蚀导致边界层内流场温度降低，因而引起空气阴离子的增加，另一方面随着飞行高度降低，由亲电子产物引起的F-数量也不断增加，这些因素引起了边界层内的电子数密度降低。