论文部分内容阅读
作者研究的光电平面显示板掘弃了场发射阵列,而用光电阴极发射源作代替,并采用点阵扫描技术使其点阵化,研究新的平面电子源.
光电平面显示板
【摘 要】
：
作者研究的光电平面显示板掘弃了场发射阵列,而用光电阴极发射源作代替,并采用点阵扫描技术使其点阵化,研究新的平面电子源.
【机 构】
：
南开大学信息技术科学学院电子科学与技术系天津理工学院物理材料研究所
【出 处】
：
第八届中国场致发射与真空微电子学学术会议
【发表日期】
：
2001年7期
其他文献
本文介绍了国外C-FED发展现状,及其C-FED的结构、性能生产工艺进行了分析论述,着重讨论了各种关键技术的优缺点.最后展望FED未来的发展趋势.
本文介绍了一种电真空用立式真空炉的技术升级方法.它仅保留了原设备的炉体和炉丝加热部分,重新配置了一套以分子泵为主抽真空泵的半无油真空系统,替代了原设备的油扩散泵,极
本文采用高真空分子束外延设备生长InGaAs/GaAs/AlGaAs应变量子阱半导体材料,对InGaAs/GaAs/AlGaAs应变量子阱结构进行生长温度、生长时间和Ⅴ-Ⅲ族束流比等关键因素的优化设
本文通过对四种快速调谐机构的对比和研究,提出了一种计算机控制下扫描振镜加固定光栅的TEACO2激光器快速调谐机构.实验得到了静态扫描激光谱线的输出,并且达到了分辨CO2激光
现在毫米波研究和开发国际上在受到高度重视.而毫米波大功率方向上由于波长限制,快波器件回旋管是主要成熟品种.本文介绍回旋速调管输入回路的设计和结果供同行参考.
本文首次分布应用我们研究成功的在SEM中能无损分层透视内窥检测半导体和集成电路及真空微电子器件的新检测法(简称分层法)和新检测仪(简称分层仪)观察和测量到在亚表面层中
本文利用水热法铁离子腐蚀单晶硅的纯化学方法获得具有微米和纳米级复合结构的多孔硅,作为真空微电子器件使用的场致发射电子源.该种多孔硅表面遍布很多孔隙和纳米级大小的硅
本文在这里首次公布在扫描电子显微镜SEM中应用我们研制成功的能透过表面绝缘层透视检测半导体和集成电路IC及真空微电子器件VMD被掩盖在绝缘层表面下的微结构及缺陷的新检测
对真空度的测量可采用各种真空计,但其输出量大多为非电量或模拟式电量.本文设计了一种电热激励/压敏全桥检测Si/SiO双层微悬臂梁谐振式真空度传感器.该传感器利用微悬臂梁的
文章综述了国外钕铁硼氢粉碎装置的现状,系统地介绍了氢粉碎压力吸氢、真空加热脱氢的工艺过程.对国内氢粉碎装备的研制和使用情况进行了系统的叙述,展望了真空氢粉碎装置的