AlxGa1-xN材料具有带隙可调（3.4 eV～6.3 eV）、高载流子迁移率等特点,使用Si对AlxGa1-xN材料进行掺杂,可以将AlxGa1-xN晶体变为以电子......

利用吸收光谱和光致发光（PL）光谱研究了氢化物气相外延（HVPE）法生长的GaN厚膜材料发光特性。研究发现当激发脉冲光源的重复频率较低时，P......