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当前,传统的存储器件正面临着未来电子器件小型化的挑战,特征尺寸达到了物理极限,无法适应未来存储器件高密度集成、高速处理、低......
由于信息时代的到来,信息存储技术受到了学术界广泛的关注。传统的存储器件具有一定的局限性,这就需要我们通过研究新型材料和开发......
自旋电子学是一门最新发展起来的涉及磁学、电子学以及信息学的交叉学科,其核心内容是通过主动调控固态系统中电子的自旋自由度,将......
近年来,随着人类迈入大规模信息和多媒体时代,人们对电子产品存储性能的要求越来越高,例如:大容量、高密度、快存取、非易失以及小......
BiFeO3(BFO)作为多功能材料和器件的应用基础,其具有室温下的铁电、铁磁性。然而高泄漏电流、大矫顽场已经成为技术发展应用的障碍......
阻变随机存储器(Resistive Random Access Memory,RRAM)作为一种新型非挥发性存储器,具有结构简单、读写速度快、存储密度高、功耗......
采用脉冲激光沉积技术在(001)取向的SrTiO3(STO)单晶衬底上制备Bi0.8Ba0.2FeO3(BBFO)/La0.7Sr0.3MnO3(LSMO)异质结,并获得Au/BBFO/......
阻变存储器作为下一代非易失性存储器的有力竞争者之一,在最近十多年来吸引了广泛的关注。作为阻变存储器的核心,阻变材料的阻变性......
铁电存储器,作为一种有望替代闪存的新型存储器,一直受到广泛关注和研究。在铁电存储器中,基于极化翻转的电阻转变效应,由于其没有......
阻变存储器(RRAM)凭借其集成度高,写入擦除快,功耗低,和当今半导体工艺完全兼容等特点,成为最有希望替代Flash存储器的新一代非挥......
自从在钙钛矿氧化物中发现高温超导和巨磁致电阻以来，越来越多的新特性被加以体现，在铁电、介电、铁磁和超导中。由于这些材料表现出......
